MOS结构电子、质子辐照感生缺陷的EPR测量  

EPR Measurement of Inducement Defects on MOS Structure Under Electron and Proton Irradiation

作　　者：范隆[1] 靳涛[1] 杨祖慎[2] 杨志安[2] 

机构地区：[1]中国科学院新疆物理研究所,新疆乌鲁木齐830011 [2]新疆大学物理系,新疆乌鲁木齐830046

出　　处：《新疆大学学报（理工版）》2002年第1期18-21,共4页

基　　金：~~

摘　　要：利用电子顺磁共振 (EPR)技术测量了 (1 0 0 )晶向硅衬底材料上制作的 MOS电容在电子和质子辐照前后缺陷电子顺磁 (EPR)吸收谱 ,对比了电子和质子辐照前后缺陷顺磁中心浓度的变化 .结果表明 ,辐照前后带有单个未成对自旋电子的 Pb0 中心浓度未发生明显变化 ,电子与质子辐照均产生了新的中性体缺陷 ,电子辐照后观察到Pb1 中心的出现并随辐照注量增大 ,质子辐照后则未观察这一现象 .当质子辐照到 1 0 1 4p/ cm2时 ,引起部分体缺陷顺磁中心的消失 .电子辐照后 ,产生的体缺陷顺磁中心浓度则随辐照注量增大 ,表明电子与质子辐照作用机制的差异 ,质子辐照中位移效应和 H+的存在最可能是造成晶格缺陷消失和顺磁吸收消失的主要原因 .In Virtur of electron Paramagnetic resonance (EPR) technique, the defect EPR Spectram of MOS Capacitors, which are fabricated on (100) Si substructure, before and after the irradiation of electrons and protons have heen measured. The canges of central density of defect paramagnetism before and after irradiation of electron and proton were comparted. The results showed that the P(x) Central density with single unpaired spin electron had no obvious change, but the radiation induced neutral bulk defects, and P(x) defects arose only under electron irratiation and that the central density increased with electron irradiation flux(1). The analysis and discussion of the discrepant results underelectron and Proton irradiation are given

关 键 词：MOS结构 电离损伤 ERP 辐照感生缺陷 电子 质子 电子顺磁共振测量 缺陷顺磁中心 

分 类 号：TN386.1[电子电信—物理电子学] O474[理学—半导体物理]