1.3μm无致冷AlGaInAs/InP应变补偿量子阱激光器设计与制作  

DESIGN AND FABRICATION OF 1.3μm UNCOOLED ALGaInAs/InP STRAIN-COMPENSATED QUANTUM WELL LASERS

作　　者：马宏[1] 易新建[2] 金锦炎[3] 杨新民[3] 李同宁[3] 

机构地区：[1]华中科技大学光电子工程系,武汉430074 [2]华中科技大学激光技术国家重点实验室,武汉430074 [3]武汉邮电科学研究院国家光电子工艺中心武汉分部,武汉430074

出　　处：《光子学报》2002年第2期191-195,共5页Acta Photonica Sinica

基　　金：国家高技术 86 3-30 7资助项目 (编号为 86 3-30 7-1 1 -1 ( 0 2 ) )

摘　　要：基于半导体量子阱激光器的基本理论 ,设计了合理的 1 .3 μm无致冷 Al Ga In As/ In P应变补偿量子阱激光器结构 ,通过低压金属有机化学气相外延 ( LP-MOVPE)工艺在国内首次生长出了高质量的 Al Ga In As/ In P应变补偿量子阱结构材料 ,用此材料制作的器件指标为激射波长 :1 2 80 nm≤λ≤ 1 3 2 0 nm,阈值电流 :Ith( 2 5℃ )≤ 1 5m A,Ith( 85℃ )≤ 3 0 m A,量子效率变化 :Δηex( 2 5℃～ 85℃ )≤ 1 .0 d B,线性功率 :P0 ≥ 1 0 mm uncooled AlGaInAs/InP strain-compensated quantum well lasers have been designed based on semiconductor quantum well lasers theory.High quality AlGaInAs/InP strain-compensated quantum well structure has been grown by LP-MOVPE for the first time at home and devices have been fabricated with the materials.Test result shows that the parameters of the lasers are:1280nm≤λ≤1320nm,I th(25℃)≤15mA,I th(85℃)≤30mA,Δη ex(25℃～85℃)≤1.0dB and P 0≥10mW.

关 键 词：ALGAINAS 应变补偿 量子阱 低压金属有机化学气相外延 半导体激光器 设计 制作 致冷器 铝镓铟砷化合物 

分 类 号：TN248.4[电子电信—物理电子学]