杨新民

作品数：7被引量：10H指数：2
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供职机构：武汉邮电科学研究院更多>>
发文主题：ALGAINAS量子阱激光器激光器致冷DFB激光器更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《高技术通讯》《电子学报》《光子学报》《中国激光》更多>>
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MOVPE生长1.3μm无致冷AlGaInAs/InP应变补偿量子阱激光器研究被引量：5
《中国激光》2002年第3期193-196,共4页马宏 易新建 金锦炎 杨新民 李同宁 
国家高技术 86 3 30 7主题资助项目 (课题编号为 86 3 30 7 11 1(0 2 ) )
通过低压金属有机化学气相外延 (LP MOVPE)工艺生长了AlGaInAs应变补偿量子阱材料 ,通过X射线双晶衍射、光荧光、二次离子质谱的测试分析得到了材料生长的优化工艺参数 ,降低了材料中的氧杂质含量 ,得到了高质量AlGaInAs应变补偿量子阱...
关键词：ALGAINAS 应变补偿量子阱 低压金属有机化学气相外延 无致冷 半导体激光器 
1.3μm无致冷AlGaInAs/InP应变补偿量子阱激光器设计与制作被引量：3
《光子学报》2002年第2期191-195,共5页马宏 易新建 金锦炎 杨新民 李同宁 
国家高技术 86 3-30 7资助项目 (编号为 86 3-30 7-1 1 -1 ( 0 2 ) )
基于半导体量子阱激光器的基本理论 ,设计了合理的 1 .3 μm无致冷 Al Ga In As/ In P应变补偿量子阱激光器结构 ,通过低压金属有机化学气相外延 ( LP-MOVPE)工艺在国内首次生长出了高质量的 Al Ga In As/ In P应变补偿量子阱结构材料 ...
关键词：ALGAINAS 应变补偿 量子阱 低压金属有机化学气相外延 半导体激光器 设计 制作 致冷器 铝镓铟砷化合物 
高功率1.31μm AlGaInAs应变多量子阱DFB激光器
《光通信研究》1999年第6期44-46,59,共4页杨新民 李同宁 刘涛 周宁 金锦炎 李晓良 
采用金属有机化学汽相淀积工艺和脊型波导结构，同１．３１μｍＡｌＧａＩｎＡｓ／ＩｎＰ应变多量子阱分布反馈激光器高功率输出。在２５℃时，管芯最大输出功率超过５０ｍＷ，阈值电流范围在１３－２０ｍＡ之间，发光面斜效率高于０．...
关键词：ALGAINAS 应变多量子阱 DFB激光器 
2.5 Gbit/s用DFB-LD/EA单片集成器件
《光通信研究》1999年第3期42-46,54,共6页李同宁 金锦炎 杨新民 王彩玲 刘涛 黄涛 王任凡 吴又生 罗毅 文国鹏 孙长征 
邮电部资助
本文报道了采用全ＭＯＣＶＤ生长的１．５５μｍ单片集成ＤＦＢ－ＬＤ／ＥＡ组件的制作和在ＤＷＤＭ系统上的传输测试结果。出纤功率Ｐｆ≥２．５ｍＷ，Ｉｆ＝７５ｍＡ，边模抑制比ＳＭＳＲ≥３５ｄＢ。调制器反向偏压为２．５Ｖ时的消...
关键词：集成光学 多量子阱激光器 调制器 DWDM系统 
高性能 2.5Gb/s 用的 DFB-LD/EA 单片集成器件
《高技术通讯》1998年第11期1-6,共6页李同宁 金锦炎 杨新民 王彩玲 刘涛 黄涛 王任凡 吴又生 罗毅 文国鹏 孙长征 
863计划资助项目;原邮电部资助项目
报导了采用全ＭＯＣＶＤ生长的１．５５μｍ单片集成ＤＦＢ－ＬＤ／ＥＡ组件的制作和在ＤＷＤＭ系统上的传输测试结果。出纤功率Ｐｆ≥２．５ｍＷ＠Ｉｆ＝７５ｍＡ，边模抑制比ＳＭＳＲ＞３５ｄＢ，调制器反向偏压为２．５Ｖ时的消光比...
关键词：调制器 DWDM系统 光纤通信系统 2.5GB/S 
高稳定单纵模的1.55μm DFB激光器被引量：2
《Journal of Semiconductors》1992年第2期127-131,共5页董志江 杨新民 周宁 马磐 刘坚 杨桂生 
采用一级全息光栅和二步液相外延法研制出高稳定单纵模工作的1.55μm分布反馈(DFB)激光器.20℃时连续工作阈值电流I_(th)为40mA,单纵模光功率为7.5mW.在70℃高温和 1GHz正弦信号调制下保持边模抑制比(SMSR)大于 30dB的单纵模工作,最高S...
关键词：光纤通信 DFB 激光器 液相外延法 
光纤连接器的损耗谱特性被引量：1
《电子学报》1990年第6期113-115,共3页邹林森 杨新民 
本文从实验和理论上研究了光纤活动连接器的连接损耗与工作波长和轴向间隙的关系,对实验结果作了定量分析。
关键词：光纤连接器 损耗谱 连接损耗 
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