MOVPE生长1.3μm无致冷AlGaInAs/InP应变补偿量子阱激光器研究  

Study on MOVPE Growth of 1.3 μm Uncooled AlGaInAs/InP Strain-compensated Quantum Well Lasers

作　　者：马宏 易新建[1] 金锦炎[2] 杨新民[2] 李同宁[2] 

机构地区：[1]华中科技大学激光技术国家重点实验室,湖北武汉430074 [2]武汉邮电科学研究院国家光电子工艺中心武汉分部,湖北武汉430074

出　　处：《中国激光》2002年第3期193-196,共4页Chinese Journal of Lasers

基　　金：国家高技术 86 3 30 7主题资助项目 (课题编号为 86 3 30 7 11 1(0 2 ) )

摘　　要：通过低压金属有机化学气相外延 (LP MOVPE)工艺生长了AlGaInAs应变补偿量子阱材料 ,通过X射线双晶衍射、光荧光、二次离子质谱的测试分析得到了材料生长的优化工艺参数 ,降低了材料中的氧杂质含量 ,得到了高质量AlGaInAs应变补偿量子阱材料 ,室温光致发光半宽FWHM =2 6meV。采用此外延材料成功制作了 1 3μm无致冷AlGaInAs应变量子阱激光器 ,器件测试结果为 :激射波长 :12 90nm≤ λ≤ 1330nm ;阈值电流 :Ith(2 5℃ )≤15mA ;Ith(85℃ )≤ 2 5mA ;量子效率变化 :Δηex(2 5～ 85℃ )≤ 1 0dB。AlGaInAs strain-compensated quantum wells have been grown by LP-MOVPE. By X-ray diffraction, photoluminescence and SIMS, the properties of the materials and the oxygen concentration in AlGaInAs materials are analyzed. A high quality (PL FWHM=26 meV: room temperature) AlGaInAs strain-compensated quantum well through optimized MOVPE process is obtained. By the wafers, the 1.3 μm uncooled AlGaInAs strain-compensated quantum well lasers have been fabricated. The results of the laser chips are: 1290 nmλ1330 nm, Ith (25°C)15 mA, Ith(85°C)25 mA and Δηex(25-85°C)1.0 dB.

关 键 词：ALGAINAS 应变补偿量子阱 低压金属有机化学气相外延 无致冷 半导体激光器 

分 类 号：TN248.4[电子电信—物理电子学]