23μC／μm^2的Ta2O5／健壮Si电容器在使用亚0.2μm过程生产的高密度DRAM上的应用研究  

出　　处：《电子产品可靠性与环境试验》2001年第6期46-46,共1页Electronic Product Reliability and Environmental Testing

关 键 词：硅电容器 0.2μm 过程生产 DRAM 

分 类 号：TM534[电气工程—电器]