硅电容器

作品数：4被引量：7H指数：1
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ALD氧化铝薄膜介电性能及其在硅电容器的应用被引量：7
《电子与封装》2013年第9期31-34,共4页陈杰 李俊 赵金茹 李幸和 许生根 
硅基高密度电容器是利用半导体3D深硅槽技术和应用高介电常数(高K)材料制作的电容。相比钽电容和多层陶瓷电容(MLCC),硅基电容具有十年以上的寿命、工作温度范围大、容值温度系数小以及损耗低等优点。文章研究原子层沉积(ALD)制备的Al2O...
关键词：硅基电容器 三氧化二铝 深槽 介电特性 原子层沉积 
10μF硅电容器：硅电容器
《世界电子元器件》2012年第3期38-38,共1页
IPDIA推出10μF的硅电容，具有较好的稳定性和可靠性特点，专为要求苛刻的应用而设计。新的使用专利3D硅技术的10μF电容，其低漏电流可低至12nA。
关键词：电容器 硅电容 可靠性 稳定性 硅技术 漏电流 
23μC／μm^2的Ta2O5／健壮Si电容器在使用亚0.2μm过程生产的高密度DRAM上的应用研究
《电子产品可靠性与环境试验》2001年第6期46-46,共1页
关键词：硅电容器 0.2μm 过程生产 DRAM 
电容器
《电子科技文摘》2000年第4期14-15,共2页
Y2000-62027-12 0005483利用亚0.2μm 过程的适用于高密度 DRAM 的23μC/μm2TA2O5/固化硅电容器研究=A study of Ta2O5/rugged Si Capacitor of 23μC/μm2 applie...
关键词：双极性铝电解电容器 半导体陶瓷电容器 硅电容器 电子元件 高密度 开关电源 高纹波电流 固化 电极箔 适用于 
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