许生根

作品数：1被引量：7H指数：1
导出分析报告
供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所更多>>
发文主题：氧化铝薄膜ALD介电特性深槽原子层沉积更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《电子与封装》更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

署名顺序

  • 全部
  • 第一作者
结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-1
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
ALD氧化铝薄膜介电性能及其在硅电容器的应用被引量：7
《电子与封装》2013年第9期31-34,共4页陈杰 李俊 赵金茹 李幸和 许生根 
硅基高密度电容器是利用半导体3D深硅槽技术和应用高介电常数(高K)材料制作的电容。相比钽电容和多层陶瓷电容(MLCC),硅基电容具有十年以上的寿命、工作温度范围大、容值温度系数小以及损耗低等优点。文章研究原子层沉积(ALD)制备的Al2O...
关键词：硅基电容器 三氧化二铝 深槽 介电特性 原子层沉积 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部