半导体陶瓷电容器

作品数：13被引量：15H指数：2
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沉淀法制备Sm^(3+),Er^(3+)与Nd^(3+)一次共掺杂的BaTiO_3基半导体陶瓷电容器
《中国稀土学报》2006年第z1期96-101,共6页柴艮风 施哲 陈玉林 李春花 
在共沉淀法的基础上,通过双施主不同浓度的Nd3+和Sm3+,Er3+(4.0%~5.0%)掺杂,研究了BaTiO3基表面型陶瓷电容器的电性能,结果表明,Sm3+和Er3+的掺杂可以提高居里温度,但使介电常数降低,其含量为25%时可获得绝缘电阻500 MΩ左右,C/S为0.589...
关键词：共沉淀法 半导体陶瓷电容器 施主掺杂 稀土 
电容器容量损耗自动分类机的优化改进
《电子工艺技术》2005年第3期172-174,177,共4页郭曙光 陈忠道 曾道康 
快速检测自动分类机,主要应用于片式半导体陶瓷电容器生产线中,对电容器电容量、损耗进行检测,并由此对电容器进行分类。我们引用先进的机电器件,优化改进设备结构,最终完成机电一体化,设计出符合IEC(Internationalelectrotechnicalcomm...
关键词：半导体陶瓷电容器 容量损耗检测 自动分类机 分类速度 
C20040904半导体陶瓷电容器
《中国科技产业》2004年第9期76-76,共1页
关键词：半导体陶瓷电容器 何种 比容 频率范围 
Finder-1000 X射线能谱仪在半导体陶瓷电容器制程中的应用
《电子显微学报》2003年第6期528-529,共2页李静 王振平 
关键词：Finder-1000X射线能谱仪 EDX 半导体陶瓷电容器 表面层型半导体瓷片 表面污染黑斑 表面疵病 
再论半导体陶瓷电容器被引量：5
《电子元件与材料》2002年第1期30-34,共5页李标荣 庄严 
基于自由能越低越稳定原理和芯-壳结构模型,论述了晶粒边界型陶瓷电容器(GBBLC)的形成。根据晶格结构紧密程度和结合能的大小,讨论了SrTiO3陶瓷半导化的途径。通过再氧化、施主离子的表面偏析、正缺位补偿和受主离子的表层结合等作用,...
关键词：钛酸锶陶瓷 GBBLD 粒界偏折 陶瓷电容器 半导体 
SEM二次电子成像在半导体陶瓷电容器研制中的应用被引量：1
《电子显微学报》2001年第4期402-403,共2页章仲涛 李静 王振平 章士瀛 
关键词：半导体陶瓷电容器 SEM 二次电子成像 应用 瓷坯 氧化介质层 晶格缺陷 
机电组件
《电子科技文摘》2001年第1期9-9,共1页
Y2000-62028-853 0100093电容器电感:某些应用的关键特性=A capacitor’s in-ductance:critical property for certain applications[会,英]/Stevenson.B.& Ewell,G.//1999 IEEE 49thElectronic Components and Technology Conference....
关键词：半导体陶瓷电容器 机电组件 性能分析 关键特性 碳纳米管 双电层电容器 解耦 高频 薄膜 串联电感 
电容器
《电子科技文摘》2000年第12期12-12,共1页
Y2000-62135-245 0019861采用 PECVD 氮化物用于混合信号和射频电路的高密度金属绝缘体金属电容器=High density metal insula-tor metal capacitors using PECVD Nitride for mixed sig-nal and RF circuits[会,英]/Kar-Roy,A.& Hu,C./...
关键词：高压铝电解电容器 金属绝缘体金属 射频电路 氮化物 混合信号 高密度 电子元件 电解质 去极化剂 表面层型半导体陶瓷电容器 
表面层型半导体陶瓷电容器
《电子学报》2000年第8期142-142,138,共2页王振平 赵俊斌李勇 章士瀛 
关键词：表面层型 半导体陶瓷电容器 
表面层型半导体陶瓷电容器的开发及产业化被引量：1
《材料导报》2000年第9期66-68,共3页王振平 赵俊斌 李勇 章士瀛 
表面层型半导体陶瓷电容器的开发成功,是我国新型元件领域中的一项高新技木及其产业化的突破。重点介绍了表面层型半导体陶瓷电容器的基本结构和原理。本项目开发创新成果:隧道式气氛烧结组合炉,还原气氛的获取,半导化及再氧化技术,工...
关键词：表面层型 结构 原理 半导体陶瓷电容器 产业化 
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