李春花

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供职机构：昆明理工大学材料与冶金工程学院更多>>
发文主题：BATIOSM半导体陶瓷电容器共沉淀法共掺杂更多>>
发文领域：金属学及工艺更多>>
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沉淀法制备Sm^(3+),Er^(3+)与Nd^(3+)一次共掺杂的BaTiO_3基半导体陶瓷电容器
《中国稀土学报》2006年第z1期96-101,共6页柴艮风 施哲 陈玉林 李春花 
在共沉淀法的基础上,通过双施主不同浓度的Nd3+和Sm3+,Er3+(4.0%~5.0%)掺杂,研究了BaTiO3基表面型陶瓷电容器的电性能,结果表明,Sm3+和Er3+的掺杂可以提高居里温度,但使介电常数降低,其含量为25%时可获得绝缘电阻500 MΩ左右,C/S为0.589...
关键词：共沉淀法 半导体陶瓷电容器 施主掺杂 稀土 
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