离子注入诱导量子阱界面混合效应的光致荧光谱研究  

Study on ion-implantation induced intermixing effect of quantum well by using photoluminescence spectroscopy

作　　者：陈贵宾[1,2] 陆卫[1] 缪中林[1,2] 李志锋[1] 蔡炜颖[1] 沈学础[1] 陈昌明[3] 朱德彰[3] 胡钧[3] 李明乾[3] 

机构地区：[1]中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室 [2]中国科学院上海原子核研究所核分析技术开放实验室,上海201800 [3]中国科学院上海原子核研究所核分析技术开放实验室

出　　处：《物理学报》2002年第3期659-662,共4页Acta Physica Sinica

基　　金：国家自然科学基金 (批准号 :10 0 740 6 8);国家重点基础研究项目 (批准号 :G19980 6 14 0 4)资助的课题~~

摘　　要：采用多元芯片方法获得了一系列不同离子注入剂量的GaAs AlGaAs非对称耦合量子阱单元 ,通过光致荧光谱测量 ,研究了单纯的离子注入导致的界面混合效应 .荧光光谱行为与有效质量理论计算研究表明 ,Al原子在异质结界面的扩散在离子注入过程中已基本完成 ,而热退火作用主要是去除无辐射复合中心 .The intermixing induced by ion-implantation on a series of comparable asymmetrical-coupled GaAs/AlGaAs quantum-well samples have been studied by photoluminescence(PL) spectra measurements. The results of the PL spectra and the calculation based on effective mass approximation theory show that the proton implantation is the dominate process for Al diffusion across the heterointerfaces. The main effect of rapid thermal annealing is to remove the non-radiative centre.

关 键 词：量子阱 离子注入 光致荧光谱 界面混合效应 半导体 异质结结构体系 

分 类 号：O471[理学—半导体物理]