氧化镓沟槽肖特基势垒二极管具有超低泄漏  

出　　处：《半导体信息》2018年第6期4-6,共3页Semiconductor Information

摘　　要：美国康奈尔大学和日本的新型晶体技术公司近期声称单斜形β-多晶型氧化镓(β-Ga2O3)肖特基势垒二极管(SBD)具有最低的泄漏电流。在相对较高的击穿电压1232V下,显示出低的泄漏电流密度小于1μA·cm^-2。

关 键 词：肖特基势垒二极管 氧化镓 低泄漏 美国康奈尔大学 管具 沟槽 漏电流密度 泄漏电流 

分 类 号：TN311.7[电子电信—物理电子学]