对硅片进行无抗蚀膜光化学蚀刻的一种新方法  

A New Method of Resistless Photochemical Etching for Silicon Wafer

作　　者：杨杰[1] 刘焰发[1] 村原正隆 

机构地区：[1]中山大学超快速激光光谱学国家重点实验室,广东广州510275 [2]东海大学工学部电气工学科,日本2591292

出　　处：《中国激光》2002年第3期286-288,共3页Chinese Journal of Lasers

基　　金：广东省自然科学基金 (970 15 0;990 2 2 0 );国家自然科学基金 (6 0 0 780 18)资助项目

摘　　要：研究了一种在硅片上进行无抗蚀膜光化学蚀刻的新方法 ,使用过氧化氢 (H2 O2 )和氟酸 (HF)作为光化学媒质 ,使用ArF紫外激光作为光源 ,无需事先加工抗蚀膜 ,可直接在硅表面进行蚀刻。在H2 O2 与HF的浓度比为 1.3时 ,蚀刻效果最佳 ,当激光能量密度为 2 9mJ/cm2 ,照射脉冲数为 10 0 0 0次时 ,得到 2A new method of resistless photochemical etching for silicon wafer is developed, which is using hydrogen peroxide (H 2O 2) and hydrogen fluoride (HF) as activated species, ArF ultraviolet laser as a photon source. Silicon wafer can be directly etched without photo-resists. When the concentration ratio of H 2O 2/HF is 1.3, the optimized etching was found. At the energy density of 29 mJ/cm 2 as well as the shot numbers of 10000, the maximum etching depth of 210 nm was obtained.

关 键 词：硅片 无抗蚀膜光化学蚀刻 半导体工艺 

分 类 号：TN305.7[电子电信—物理电子学]