用以制备单电子晶体管的2DEG结构的设计  

Design of 2DEG for single-electron transistor

作　　者：庞科[1] 王太宏[1] 

机构地区：[1]中国科学院物理研究所,北京100080

出　　处：《半导体技术》2002年第3期67-71,共5页Semiconductor Technology

基　　金：国家自然科学基金资助项目(69925410;19904015)

摘　　要：在一定的边界条件近似下,通过联立求解泊松和薛定谔方程,利用电荷控制模型对赝型高电子迁移率器件( p-HEMT)进行了模拟,分析了器件中二维电子气的面密度ns、d面掺杂层距离表面层厚度d1和距离二维电子气厚度d2对器件特性的影响,并讨论了这些结构参数的优化,为制备高温、稳定和有应用前景的单电子晶体管器件提供了依据。By self-consistently solving the Poisson equation and Schrodinger equationunder the boundary condition, the output characteristics of the p-HEMT is simulated withcharge control model. The dependence of the output characteristics are analyzed on the electrondensity ns ,the distance between the doped layer and the surface d1 and the distance between theundoped layer and the 2DEG d2 respectively. The parameters are optimized in order tofabricate high-temperature stable single-electron transistors with potential applications.

关 键 词：制备 2DEG 设计 二维电子气 单电子晶体管 纳米器件 纳米加工 面密度 

分 类 号：TN304.05[电子电信—物理电子学]