庞科

作品数：2被引量：1H指数：1
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供职机构：中国科学院物理研究所更多>>
发文主题：单电子晶体管碳纳米管晶体管二维电子气面密度2DEG更多>>
发文领域：电子电信一般工业技术更多>>
发文期刊：《半导体技术》《物理》更多>>
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用以制备单电子晶体管的2DEG结构的设计
《半导体技术》2002年第3期67-71,共5页庞科 王太宏 
国家自然科学基金资助项目(69925410;19904015)
在一定的边界条件近似下,通过联立求解泊松和薛定谔方程,利用电荷控制模型对赝型高电子迁移率器件( p-HEMT)进行了模拟,分析了器件中二维电子气的面密度ns、d面掺杂层距离表面层厚度d1和距离二维电子气厚度d2对器件特性的影响,并讨论了...
关键词：制备 2DEG 设计 二维电子气 单电子晶体管 纳米器件 纳米加工 面密度 
纳米器件的制备、表征及其应用被引量：1
《物理》2002年第1期4-6,共3页王太宏 赵继刚 傅英 李宏伟 李卫 王春花 王振霖 庞科 刘淑琴 符秀丽 
国家自然科学基金 (批准号 :6 992 5 410 1990 40 15 )
利用建立的常规光刻法的纳米加工工艺系统 ,研制碳纳米管晶体管、单电子晶体管和单电子晶体集成的纳米器件 .研制出了 90K的单电子晶体管 ,实现了两单电子晶体管的电容耦合集成。
关键词：纳米器件 碳纳米管晶体管 单电子晶体管 纳米加工 制备 表征 
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