一种新型SOI结构——SiGe-OI材料研究进展  

A NEW SOI STRUCTURE——SiGe-OI

作　　者：安正华[1] 张苗[1] 门传玲[1] 谢欣云[1] 沈勤我[1] 林成鲁[1] 

机构地区：[1]中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室,上海200050

出　　处：《物理》2002年第4期219-223,共5页Physics

基　　金：国家重点基础研究专项经费 (批准号 :G2 0 0 0 0 36 5 ) ;国家自然科学基金 (批准号 :No 6 990 6 0 0 5 );上海市青年科技启明星计划(批准号 :No 0 1QMH14 0 3)资助项目

摘　　要：SOI(silicononinsulator ,绝缘层上的硅 )技术和SiGe(silicongermanium ,锗硅 )技术都是微电子领域的前沿技术 .SiGe-OI(SiGe -on -insulator ,绝缘层上的锗硅 )新型材料是最近几年来才出现的一种新型SOI材料 ,它同时具备了SOI技术和SiGe技术的优势 ,因而成为当前微电子研究领域的最前沿课题之一 .文章结合中国科学院上海微系统与信息技术研究所的工作 ,综述了SiGe-OI材料研究情况和应用前景 ,详细介绍了其主要的制备方法 ,最后报道了作者在SiGe -OI材料研究上的一些实验结果 .Silicon on insulator(SOI) and SiGe are both promising materials to the microelectronics including due to their potential in low voltage, low power, high speed applications and compatibility with mature Si technology. A new SOI structure, SiGe-OI, which appeared recently integrates the advantages of both SOI and SiGe, and has become one of the new frontiers in the microelectronics field. We review the resent research on SiGe-OI, its applications and fabrication, including some results of our own work.

关 键 词：绝缘层 硅 锗硅 集成电路 SIGE SI SOI结构 iGe-OI材料 

分 类 号：TN304[电子电信—物理电子学]