微晶硅薄膜小角X射线散射研究  

作　　者：郭晓旭[1] 董宝中[2] 等 

机构地区：[1]中国科学技术大学研究生院物理系，北京100039 [2]中国科学院高能物理研究所，北京100039

出　　处：《北京同步辐射装置年报》1997年第1期70-71,共2页

摘　　要：用小角X射线散射（SAXS），Raman谱，红外透射谱等研究高氢稀硅烷热丝法（HWCVD）制备氢化微晶硅膜微结构，结果表明微晶硅的大小及在薄膜中的晶态比随氢稀释度的提高而增加。SAXS表明薄膜致密度随氢衡释度的增加而增加。结合红外谱和SAXS的结果讨论了不同相结合下硅网络中H的键合状态。认为在非晶硅膜中H以SiH键为主，在微晶硅膜中H以SiH2为主且主要存在于晶粒的界面。

关 键 词：微晶硅薄膜 小角X射线散射 半导体 红叶光谱 结构 

分 类 号：TN304[电子电信—物理电子学] O484.1[理学—固体物理]