GaN外延衬底材料LiGaO2晶体的生长缺陷  

作　　者：徐科[1] 田玉莲[2] 等 

机构地区：[1]中国科学院上海光学机密机械研究所 [2]中国科学院北京高能物理研究所

出　　处：《北京同步辐射装置年报》1998年第1期36-39,共4页

摘　　要：LiGaO2与GaN的晶格失配率只有0．2％，是一很有潜力的蓝光衬底材料。本文利用化学侵蚀、光学显微镜、透射电子显微镜对晶体中的缺陷进行了分析，研究了生长参数、原料化学配比对晶体质量的影响及其和晶体中缺陷形成的关系。TEM分析表明，由于原料近非化学计量比挥发致使组份偏离，容易产生γ－Ga2O3包裹物。包裹物和位错形成具有一定的相互促进作用。X射线貌相分析发现提拉法生长LiGaO2晶体中易于形成平行于（001）面的亚晶界，这可能和其沿[001]方向的极性有关。

关 键 词：GAN 外延衬底材料 LiGaO2晶体 X射线貌相术 氮化镓 TEM 外延生长 

分 类 号：TN304.23[电子电信—物理电子学] TN304.054