InP表面软X光吸收效应与数值模拟  

作　　者：杨志安[1] 靳涛[2] 等 

机构地区：[1]新疆大学物理系，乌鲁木齐830046 [2]中国科学院新疆物理所，乌鲁木齐830011

出　　处：《北京同步辐射装置年报》1998年第1期194-197,共4页

关 键 词：INP 软X光吸收效应 数值模拟 磷化铟 半导体 软X射线辐照 能级变化 

分 类 号：TN304.23[电子电信—物理电子学]