利用HIRFL加速的重离子获得半导体器件的σ-LET曲线  

作　　者：张庆祥[1] 侯明东[1] 甄红楼[1] 刘杰[1] 

机构地区：[1]中国科学院近代物理研究所,兰州730000

出　　处：《科学通报》2002年第5期342-344,共3页Chinese Science Bulletin

基　　金：本工作为国家自然科学基金(批准号:19775058;10075064);中国科学院"九五"重大课题(批准号:KJ952-SI-423)资助项目

摘　　要：表征器件单粒子敏感度的σ-LET 曲线是轨道翻转率预估的重要依据.利用兰州重离子加速器（HIRFL）加速的 35 MeV/u的36Ar离子和 15.14 MeV/u的136Xe离子得到的 32 kbit×8静态存储器（SRAM）IDT71256单粒子翻转的实验数据,用Weibull和Lognormal两种函数拟合获得了完整的σ-LET 曲线,对两种拟合结果的差别进行了讨论,并在拟合参数的基础上估算了地球同步轨道和两条太阳同步轨道辐射环境中IDT71256的翻转率.

关 键 词：HIRFL 加速 重离子 σ-LET曲线 半导体器件 单粒子效应 

分 类 号：TN303[电子电信—物理电子学]