共振隧穿二极管  

Resonumt tunneling diode

作　　者：郭维廉[1] 梁惠来[1] 张世林[1] 牛萍娟[1] 毛陆虹[1] 赵振波[1] 郝景臣[2] 魏碧华[2] 张豫黔[2] 宋婉华[2] 杨中月[2] 

机构地区：[1]天津大学电子信息工程学院,天津300072 [2]河北半导体研究所,河北石家庄050051

出　　处：《微纳电子技术》2002年第5期11-15,36,共6页Micronanoelectronic Technology

摘　　要：设计并研制出室温工作的共振隧穿二极管,室温电流峰谷比达到7.6:1,最高振荡频率为54GHz。本文对RTD的设计、研制过程、参数和特性测试进行了系统的分析和说明。The Resonant tunneling diode operating in room temperature is designed and fabricat-ed.The PVCR of the device is 7.6:1, and the oscillation frequency is 54GHz, In this paper, the designation, fabrication, and measurement of parameters and Characteristics on RTD have been analysed and described Systematically.

关 键 词：共振隧穿二极管 纳米器件 量子效应 负阻特性 RTD 振荡频率 

分 类 号：TN312.2[电子电信—物理电子学]