CMOS外延本征吸杂技术研究  

作　　者：杨正泉[1] 于立新[1] 李正孝[1] 

机构地区：[1]机械电子工业部东北微电子研究所

出　　处：《微处理机》1991年第4期64-66,30,共4页Microprocessors

摘　　要：本文介绍了一种采用Ar、N为保护气体的三步退火工艺及外延后吸杂工艺。实验中使用CZ单晶片。实验证明:经本征吸杂的硅片,外延层少子寿命可提高1个数量级以上,将吸杂片用于CMOS器件制作中,成品率提高15％以上,各项性能指标达到设计要求。

关 键 词：CMOS 集成电路 外延 本征吸杂 硅片 

分 类 号：TN470.5[电子电信—微电子学与固体电子学]