本征吸杂

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消除CCD不良背景的工艺研究被引量：1
《半导体光电》2008年第3期387-389,共3页李平 郑杏平 李仁豪 雷仁方 许宏 韩恒利 陈捷 张故万 汪琳 
对电荷耦合器件(CCD)交流成像中存在的背景发白、亮条、亮点、拖影和固定图像噪声等不良背景进行了分析,并提出了调整栅介质生长方法、本征吸杂、低温退火等消除不良背景的具体工艺方法,获得了高质量的CCD器件。测试结果表明,其交流成...
关键词：电荷耦合器件 不良背景 栅介质 本征吸杂 低温退火 
微氮CZ硅单晶中氧沉积的研究
《四川大学学报（自然科学版）》1998年第1期28-31,共4页潘飞蹊 游志朴 
硅材料科学国家重点实验室资助
通过对微氮ＣＺ硅单晶中氧沉积性质的研究表明，在氮—氮对（Ｎ—Ｎ）浓度为９×１０１５／ｃｍ３且经去热施主预热处理的样品中，氮对氧的沉积没有增强作用．因此，在实用的微氮ＣＺ硅单晶中的氮杂质不会对三步本征吸杂产生不利影响．
关键词：氮 杂质 氧沉积 本征吸杂 硅 单晶 
氮气氛直拉硅的本征吸杂的研究
《浙江大学学报（自然科学版）》1993年第4期498-506,共9页佘思明 李立本 彭世宽 
本文利用化学腐蚀、扩展电阻探针、透射电镜和电子探针等研究了氮气氛直拉硅的本征吸杂。经高——低——高三段热处理可获得比较完整的洁净区,体内有高密度且分布均匀的氧沉淀及其诱生缺陷,它们具有吸杂能力。洁净区内有片状残余缺陷。...
关键词：直拉硅 本征吸杂 氮气氛 
CMOS外延本征吸杂技术研究
《微处理机》1991年第4期64-66,30,共4页杨正泉 于立新 李正孝 
本文介绍了一种采用Ar、N为保护气体的三步退火工艺及外延后吸杂工艺。实验中使用CZ单晶片。实验证明:经本征吸杂的硅片,外延层少子寿命可提高1个数量级以上,将吸杂片用于CMOS器件制作中,成品率提高15％以上,各项性能指标达到设计要求。
关键词：CMOS 集成电路 外延 本征吸杂 硅片 
双极器件和MOS LSI的本征吸杂研究
《微电子学》1990年第1期59-64,共6页Tadashi Hirao 蔡菊荣 
为了寻找一种有效而又可靠的吸杂技术,研究了一种采用HCl氧化的三步预热处理工艺方法。在这种方法中,氧化引起的体内堆垛层错起看吸杂中心的作用。利用HCl本征吸杂,可以完全去除外延堆垛层错,降低高速双极器件的结漏失效。本文提出的HC...
关键词：双极器件 MOS LSI 吸杂 
重掺砷衬底氧本征吸杂能力的探讨
《应用科学学报》1989年第2期179-181,共3页谭淞生 朱德光 王自筠 
虽则集成电路级单晶衬底的氧本征吸杂工艺已作过广泛的探讨,重掺衬底的氧本征吸杂研究还仅是近年来才开始的.与体材料相比,采用P/P^+和n/n^+外延材料加工MOS电路有很多优点.自从得克萨斯仪器公司在81年首先成功地在工业上采用硅外延片加...
关键词：重掺砷衬底 氧本征吸杂 
离子注入CMOSlK静态随机存贮器
《微处理机》1985年第1期25-30,共6页蒋培成 杨华丽 
一、前言CMOS集成电路具有功耗低,抗干扰性能强,允许电源范围大和使用方便等优点,深受用户欢迎。在制作上,由于硅栅局部氧化、离子泾入和尺寸微细化,CMOS电路的集成度和性能进一步提高。国外。
关键词：离子注入 多晶硅 存贮器 CMOSlK 流片 离子掺杂 存储器 本征吸杂 场氧化层 开启电压 
硅片吸杂—提高器件收率的关键
《中国有色冶金》1984年第4期37-39,共3页Peter H.Singer 张重敏 
在硅晶体生长过程中以及切片过程中都可能有一定数量的杂质进入硅中,典型的杂质有氧、碳和重金属。这些杂质和其它晶体缺陷已证明是器件失效和成品率低的主要原因。目前,阻止这些缺陷产生似乎是不可能的,但是必须对缺陷加以控制。基于...
关键词：吸杂技术 制造厂 硅片 本征吸杂 器件 收率 
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