朱德光

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供职机构：中国科学院上海冶金研究所上海微系统与信息技术研究所更多>>
发文主题：掺砷衬底MOS结构氧比接触电阻本征吸杂更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《固体电子学研究与进展》《Journal of Semiconductors》《应用科学学报》更多>>
所获基金：国家自然科学基金更多>>
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MOS结构低温负偏压温度不稳定性
《Journal of Semiconductors》1994年第4期277-284,共8页陆德仁 朱德光 
国家自然科学基金
本文报道了在氧等离子体中暴露过的热生长二氧化硅ＭＯＳ结构，置于－１７０至１００℃的环境中，经受－０．３至－１０ＭＶ／ｃｍ电场作用１ｍｓ至１００ｓ的时效处理后，仍然表现出不稳定性的实验结果．１至１０ｍｓ的时效时间是常规...
关键词：二氧化硅 MOS结构 偏压温度 不稳定 
重掺砷衬底氧本征吸杂能力的探讨
《应用科学学报》1989年第2期179-181,共3页谭淞生 朱德光 王自筠 
虽则集成电路级单晶衬底的氧本征吸杂工艺已作过广泛的探讨,重掺衬底的氧本征吸杂研究还仅是近年来才开始的.与体材料相比,采用P/P^+和n/n^+外延材料加工MOS电路有很多优点.自从得克萨斯仪器公司在81年首先成功地在工业上采用硅外延片加...
关键词：重掺砷衬底 氧本征吸杂 
非零金属电阻值和合金化对确定比接触电阻值的影响
《固体电子学研究与进展》1987年第2期157-163,共7页朱德光 
水文提出用圆环测试结构和双传输线模型确定金属-半导体欧姆接触的比接触电阻ρ_C值。考虑了金属电阻值不为零和合金化后金属接触下方半导体电阻率的改变对确定比接触电阻值的影响,导出了计算比接触电阻值的公式。用提出的方法对实验样...
关键词：薄层电阻 电阻值 比接触电阻 合金化 金属 金属材料 
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