自然空间环境中总剂量电离辐射引起的MOS器件性能衰降  

作　　者：K.F.Galloway R.D.Schrimpf 黄益全 

机构地区：[1]亚利桑那大学电气与计算机工程系

出　　处：《微电子学》1991年第1期46-52,共7页Microelectronics

摘　　要：本文详细地综述了自然空间环境中总剂量电离辐照引起的MOS器件性能衰降;MOS介质经受电离辐射期间产生的界面和氧化物电荷使得大量器件电特性发生变化;所观察到的辐射影响包括MOSFET的阈值电压漂移、沟道迁移降低、驱动性能损失和漏泄电流增大;在自然空间环境中,当总剂量以非常低的剂量率积累时,界面和氧化物俘获电荷之间可以综合折衷。

关 键 词：MOS器件 电离辐照 性能衰降 MOSFET 

分 类 号：TN386.1[电子电信—物理电子学]