用于辐照加固器件的ELO SOI技术  

作　　者：LiuS.T. 秦邻 

机构地区：[1]霍尼韦尔公司

出　　处：《微电子学》1991年第2期77-80,56,共5页Microelectronics

摘　　要：本文讨论了制作绝缘体上硅(SOI)结构的外延横向过生长技术(ELO),并通过在SOI结构上制作的nMOS晶体管验证ELO SOI材料质量和器件总剂量加固性能。在SOI结构上制作的nMOS晶体管显示出了好的辐射特性,例如,发现剂量为10~5戈瑞(硅)的辐射诱发变化为,阈值电压漂移=-0.25V,跨导衰减=18％。

关 键 词：半导体器件 辐射加固器件 ELO SOI 

分 类 号：TN305[电子电信—物理电子学]