宇宙高能质子致单粒子翻转率的计算  

Calculation of Cosmic High Energy Proton Induced Single Event Upset Rate

作　　者：王同权[1] 戴宏毅[1] 沈永平[1] 张若棋[1] 肖亚斌[1] 

机构地区：[1]国防科技大学理学院,湖南长沙410073

出　　处：《国防科技大学学报》2002年第2期11-13,共3页Journal of National University of Defense Technology

基　　金：国家部委基金项目资助 (98J11 2 2 KG0 12 6)

摘　　要：通过简化半导体器件灵敏单元 ,计算得到了宇宙高能质子在器件灵敏单元内产生的能量沉积。然后利用地面重离子实验单粒子翻转数据得到的Weibull函数 ,计算了CRRES卫星轨道、 33mm铝屏蔽壳体内几种器件的单粒子翻转率 ,并与已有结果进行了比较说明。By simplifying the sensible volume of semiconductor devices, the energy deposited by the cosmic highenergy protons in the sensible volume of semiconductor devices is calculated. Then by using the Weibull function derived by the ground heavy ion SEU experiments, the SEU rates of several devices by the shielding of 33 mm Aluminum in the CRRRES satellite orbit are calculated. The results are compared and analyzed.

关 键 词：宇宙 单粒子翻转率 计算 高能质子 空间辐射 单粒子翻转 航天器 半导体器件 

分 类 号：V411[航空宇航科学与技术—航空宇航推进理论与工程] P353.4[天文地球—空间物理学]