真空微电子器件应用研究  

Research of Vacuum Microelectronic Device Apply

作　　者：张连俊[1] 罗恩泽[2] 

机构地区：[1]山东工程学院,淄博255012 [2]西安电子科技大学,西安710071

出　　处：《山东电子》2001年第4期41-42,共2页Shandong Electronics

摘　　要：本文叙述了场致发射的机理及几种不同类型场致发射阴极的特点，并对场致发射技术在真空微电子器件方面的应用进行了分析。In this paper the theory of field electron emission and the characteristics of field emission emitters are introduced. The application of field emission device is studied.

关 键 词：场致发射 场发射阴极 真空微电子器件 

分 类 号：TN1[电子电信—物理电子学]