罗恩泽

作品数：48被引量：49H指数：4
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场热电子发射与场热电子显示屏FTD
《现代显示》2004年第2期55-58,共4页罗恩泽 罗宏 吴正军 罗伟 
由于场热电子发射显示屏FTD采用场热发射微电子枪平板阵列,对场强和真空度的要求都不高,而且发射电流密度大,发射电流稳定性和均匀性好,故FTD既具有与液晶显示屏LCD、等离子显示屏PDP和场电子显示屏FED一样的平板结构,又具有与阴极射线...
关键词：场热电子发射 场热电子显示屏 FTD 平板显示器 发射电流 
非平衡态下高温超导体的光场致发射
《低温物理学报》2003年第2期157-160,共4页张连俊 彭荣群 罗恩泽 
外加电场的作用下高温超导体材料体内电子平衡态的化学势偏移导致出现非平衡状态 ,这种非平衡状态将影响高温超导体光场致发射的性质 .
关键词：非平衡态 高温超导体 光场致发射 外加电场 电子平衡态 化学势偏移 
非平衡态对高温超导体光场致发射的影响
《低温与超导》2003年第2期46-48,共3页张连俊 彭荣群 罗恩泽 
由于外加电场的作用 ,高温超导体材料体内电子平衡态的化学势偏移导致出现非平衡状态 ,这种非平衡状态将影响高温超导体光场致发射的性质。文中对高温超导体的光场致发射受非平衡态的影响进行了研究。
关键词：非平衡态 高温超导体 光场致发射 电子平衡态 电子能态 
非平衡态对高温超导体场致发射电子能谱的影响被引量：1
《低温与超导》2002年第3期62-65,共4页张连俊 彭荣群 罗恩泽 
高温超导体场致发射时伴随体内正常态部分空穴的产生 ,引起高温超导体内电子平衡态的化学势偏移导致出现非平衡状态 ,将影响高温超导体场致发射的性质。
关键词：高温超导体 非平均态 场致发射 电子能谱 
真空微电子器件应用研究
《山东电子》2001年第4期41-42,共2页张连俊 罗恩泽 
本文叙述了场致发射的机理及几种不同类型场致发射阴极的特点，并对场致发射技术在真空微电子器件方面的应用进行了分析。
关键词：场致发射 场发射阴极 真空微电子器件 
场离子发射与场离子显示屏(FID)——一种新型彩色平板显示器被引量：1
《现代显示》2001年第1期4-10,共7页罗恩泽 李存志 吴正军 罗宏 罗伟 沈瑜 
国家自然科学基金资助项目 !(5 9882 0 0 3)
:场离子显示屏 (FID)是一种既能克服场发射显示屏 (FED)制作的困难 ,实现阴极射线显象管 (CRT)平板化 ,又能保持CRT优质图象和低廉价格的新型彩色平板显示屏。本文先介绍场离子发射的原理 。
关键词：场离子发射 场离子显示屏 彩色平板显示器 
高温超导体超导态的光场发射研究
《低温物理学报》2000年第4期306-308,共3页张连俊 唐国良 罗恩泽 赵立芳 李同山 任汝涌 彭荣群 
Photofield emission is obtained when laser pulses irridiate a cold cathode working just below the field emission threshold. The photofield emission of high critical temperature superconductor below To is reviewed in t...
关键词：高温超导体 超导态 光场发射 
场致电子发射技术分析被引量：6
《电子器件》2000年第3期210-213,共4页张连俊 赵立芳 罗恩泽 
本文介绍了场致发射的机理及场致发射的几种不同类型的阴极 ,叙述了类金刚石薄膜作为场致发射阴极的优点 ,最后对场致发射的应用进行了分析。
关键词：场致发射 阴极 类金刚石薄膜 场致发射器件 
场致发射显示技术分析被引量：2
《电子器件》1999年第2期76-79,共4页张连俊 苏汝峰 罗恩泽 
本文介绍了场致发射荧光显示技术的工作原理及特点，分析了场致发射荧光平板显示屏的工作方式、结构及其制作工艺，并讨论了影响显示屏性能的主要因素。
关键词：场致发射 荧光显示屏 结构 显示器件 
双量子阱系统伏安特性的数值模拟被引量：3
《真空电子技术》1999年第2期5-9,共5页李存志 罗恩泽 梁昌洪 
本文通过求解薛定谔方程得到由分段线性势垒构成的量子系统的变换矩阵和透射系数的精确解，并利用这一结果计算了双量子阱系统的偏压隧道电流，讨论了双量子阱系统结构变化对其伏安特性的影响。与单量子阱系统的比较表明，双量子阱系统...
关键词：双量子阱系统 负微分电阻 伏安特性 数值模拟 
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