论位错的稳定存在  

On the Stability of Dislocation

作　　者：程开甲[1] 程漱玉[1] 

机构地区：[1]西北核技术研究所,陕西西安710024

出　　处：《稀有金属材料与工程》2002年第2期81-83,共3页Rare Metal Materials and Engineering

摘　　要：阐述了 Thomas- Fermi- Dirac- Cheng电子理论的位错形成机制。通过对系统总能量的分析提出了位错能够存在的判据 。Mechanism underlying the formation of dislocation is expounded on Thomas-Fermi-Dirac-Cheng(TFDC) electron theory. The criterion condition on the limit size of dislocation is raised, and the calculated results of the limit sizes of a set of elements are given.

关 键 词：位错 Thomas-Fermi-Dirac-Cheng 电子理论 极限尺寸 

分 类 号：TG111[金属学及工艺—物理冶金]