程开甲

作品数：23被引量：96H指数：6
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供职机构：西北核技术研究所更多>>
发文主题：高温高压电子密度内应力金刚石FEC更多>>
发文领域：理学一般工业技术金属学及工艺化学工程更多>>
发文期刊：《科学通报》《机械工程材料》《稀有金属材料与工程》《自然科学进展》更多>>
所获基金：国家自然科学基金中国科学院科学出版基金更多>>
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压力诱发的超导再进入的物理机制初探被引量：1
《现代应用物理》2013年第4期353-355,共3页程开甲 程漱玉 
应用程-玻恩超导双带理论,分析了压力诱发的超导再进入现象,指出压力使费米面和上面空带的两能级分裂形成靠近的两能带,电子从费米面迁移到上面能带,造成动量空间中上面能带布里渊区电子的再次不对称分布,而产生新的超导相。
关键词：超导双带理论 布里渊区 对称破缺 晶格能 交换能 
论薄膜的超导电性(英文)
《稀有金属材料与工程》2008年第10期1693-1695,共3页程开甲 程漱玉 
应用Cheng-Born能带对称破缺理论和TFDC(Thomas-Fermi-Dirac-Cheng)电子理论研究了薄膜层内电子的特性。对金属铂上的TiO2膜层来说,TFDC理论指出电子(或空穴)将由金属与膜的间界面一侧迁移到另一侧。根据Cheng-Born对称破缺理论,当能带...
关键词：超导电性 薄膜 对称破缺 TFDC 
纳米复合薄膜特异电容机制探讨(英文)
《稀有金属材料与工程》2006年第11期1681-1685,共5页程开甲 程漱玉 林东升 肖刚 
TFDC(Thomas-Fermi-Dirac-Cheng)electrontheory用于分析讨论了纳米复合薄膜二极层中电子的特性。根据TFDC电子理论研究和实验测试提出了纳米复合薄膜二极层特异电容产生的机制。
关键词：TFDC电子理论 二极层 大电容 薄膜 
基于电子理论的断裂机理新探被引量：1
《自然科学进展》2005年第12期1528-1529,共2页程开甲 程漱玉 
应用TFDC(Thomas-Fermi-Dirac-Cheng)电子理论探讨了材料的断裂机理。该文分析了稳定的材料量子袋中电子受到向内的Coulomb作用力和与表面张力相关的电子斥力作用时的平衡状态,提出了平衡状态受到破坏而产生断裂的可能。研究得到了稳定...
关键词：Thomas—Fermi—Dirac纳米 断裂条件 
复合薄膜的异常大电容被引量：1
《自然科学进展》2005年第6期714-718,共5页程开甲 程漱玉 林东升 肖志刚 
应用TFDC(Thomas-Fermi-Dirac-Cheng)电子理论分析研究了纳米级薄膜间界面上电子运动形成的特异二极层及其充放电性能,并得到纳米级薄膜异常大电容实验的验证.
关键词：复合薄膜 电容 异常 充放电性能 DIRAC 电子运动 电子理论 纳米级 
论固体膜形成纳米管的机理(英文)被引量：4
《稀有金属材料与工程》2003年第10期773-776,共4页程开甲 程漱玉 
Oliver G.Schmidt和Karl Eberl在自然杂志上发表了1个重要的发现:几乎对于任何材料的固体薄膜,一旦薄膜从基体上剥离开,几乎在任意部位都可以形成纳米管,这个试验结果可以用TFDC(托马斯-费米尔-迪拉克-程氏)电子理论来解释。
关键词：TFD(托马斯-费米尔-迪拉克) 电子密度 内应力 
纳米管形成与内应力被引量：1
《自然科学进展》2003年第1期95-98,共4页程开甲 程漱玉 
依据TFDC(Thomas-Fermi-Dirac-Cheng)电子理论的内应力机理预测和阐述了几个重要的实验现象:镀在基底上的膜层中具有很大的内应力;将基底腐蚀掉后,所镀的纳米级复合膜层可以卷曲形成纳米管;在基底上注入电子密度不同的材料可改变膜中的...
关键词：纳米材料 纳米管 TFDC电子理论 内应力机理 纳米级复合膜 卷曲成形 
评介《界面电子结构与界面性能》被引量：1
《自然科学进展》2002年第11期1231-1232,共2页程开甲 
中国科学院科学出版基金
材料科学的研究进入电子结构的层次已有近百年的历史。1928年,Sommerfeld为了解决Lorentz理论在研究电子对比热贡献上所面临的困难,采用波函数来描述金属中自由电子的状态,提出电子的分布应遵从Pauli原理,并使总能量最小,建立了电子的...
关键词：书评 材料科学 力学性能 《界面电子结构与界面性能》 
论共晶结构的机理被引量：5
《稀有金属材料与工程》2002年第6期403-405,共3页程开甲 程漱玉 
本文是Thomas-Fermi-Dirac-Cheng电子理论对共晶机理的阐述。提出了薄膜两组元之间的化学势差和电子密度差导致系统总能量改变的新思想,给出了研究稳定共晶态的最佳尺寸和能量的方法。
关键词：Thomas-Fermi-Dirac 共晶 内应力 化学势 电子密度 
论位错的稳定存在被引量：9
《稀有金属材料与工程》2002年第2期81-83,共3页程开甲 程漱玉 
阐述了 Thomas- Fermi- Dirac- Cheng电子理论的位错形成机制。通过对系统总能量的分析提出了位错能够存在的判据 。
关键词：位错 Thomas-Fermi-Dirac-Cheng 电子理论 极限尺寸 
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