一种新的隔离结构表面平坦化技术  

A new surface-planarization technology for isolation structure

作　　者：王哲[1] 程序[1] 亢宝位[1] 吴郁[1] 王玉琦[2] 

机构地区：[1]北京工业大学电子信息与控制工程学院,北京100022 [2]香港科技大学物理系

出　　处：《半导体技术》2002年第7期26-28,共3页Semiconductor Technology

摘　　要：为克服目前隔离结构平坦化技术在工艺控制、平坦化质量等方面存在的问题,提出了一种新的隔离结构表面平坦化工艺,即利用稠光刻胶做掩膜,结合反应离子刻蚀技术与湿法腐蚀技术,实现不同厚度隔离结构的平坦化。结果表明隔离结构边缘陡峭,硅表面平坦均匀。In order to overcome the process and quality control problems, a new surfaceplanarization technology is presented in this paper. Using thick photoresist as mask, combiningreactive ion etching and wet etching, the surface planarization for isolation structure is realized.The results show that the isolation has a cliff edge and a planar silicon surface.

关 键 词：隔离结构 表面平坦化 反应离子刻蚀 湿法腐蚀 

分 类 号：TN305.2[电子电信—物理电子学]