共振隧穿二极管的设计和研制  

Design and fabrication of resonant tunneling diode

作　　者：王振坤[1] 梁惠来[1] 郭维廉[1] 牛萍娟[1] 赵振波[1] 辛春艳[1] 

机构地区：[1]天津大学电子信息工程学院,天津300072

出　　处：《微纳电子技术》2002年第7期13-16,共4页Micronanoelectronic Technology

基　　金：国家自然科学基金资助项目(60177010);天津市自然科学基金资助项目(013601411)

摘　　要：用分子束外延在半绝缘砷化镓上生长两垒一阱结构,制成RTD单管。经过材料生长设计、工艺设计和版图设计几方面的改进,测得最高振荡频率已达54GHz。The double barrier-single well structure is grown on the half insulated GaAs substrate by molecular beam epitaxy.By improving on material growth design,process design and layout design,the maximum oscillation frequency of RTD has reached54GHz.

关 键 词：共振隧穿二极管 纳米电子器件 峰谷比 砷化镓 分子束外延 

分 类 号：TN312.2[电子电信—物理电子学]