检索规则说明:AND代表“并且”;OR代表“或者”;NOT代表“不包含”;(注意必须大写,运算符两边需空一格)
检 索 范 例 :范例一: (K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 范例二:J=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT M=Visual
作 者:张红波[1] 王瑞[1] 陈开鑫[1] 杨罕[1] 张大明[1] 衣茂斌[1] 王国全[2] 马振昌
机构地区:[1]集成光电子学国家重点联合实验室吉林大学实验区,长春130023 [2]专用集成电路国家重点实验室吉林大学实验区,长春130023
出 处:《Journal of Semiconductors》2002年第7期752-756,共5页半导体学报(英文版)
基 金:国家自然科学基金资助项目 (批准号 :6 9876 0 14 )~~
摘 要:报道了用 6 5 0nm的半导体激光二极管建立的一个正面入射式外部电光测量装置 .用〈10 0〉面镀红光全反射膜的半绝缘GaP作为外部探头 ,提出以有效调制电压为测量对象 ,对外部电光测量装置进行了电场空间分辨率的测量 .实验结果表明 ,电场空间分辨率小于 1μm ,电压灵敏度为 12 6mV/Hz .A front side incident external electro optic measurement mechanism is reported using 650nm semiconductor laser diode.A piece of semi insulated GaP with high reflecting film for red beam in <100> direction is used as external probe tip.Measurement of the effective modulation voltage of the electrode indicates that the electric spatial resolution of the mechanism is less than 1μm,and the sensitivity the mechanism is of 12 6mV/Hz.
关 键 词:外部电光测量 空间分辨率 电场 半绝缘 磷化镓 集成电路
分 类 号:TN247[电子电信—物理电子学]
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