一种快速光刻模拟中二维成像轮廓提取的新方法  

A New Method of 2D Contour Extraction For Fast Simulation of Photolithographic Process

作　　者：陈志锦[1] 史峥[1] 王国雄[2] 付萍[3] 严晓浪[1] 

机构地区：[1]浙江大学超大规模集成电路设计研究所,杭州310027 [2]鞍山钢铁学院电子与信息工程学院,鞍山114002 [3]华东地质学院信息工程系,临川344000

出　　处：《Journal of Semiconductors》2002年第7期766-771,共6页半导体学报（英文版）

基　　金：国家自然科学基金资助项目 (批准号 :6 0 176 0 15 )~~

摘　　要：在一种新颖的快速光刻模拟算法的基础上 ,提出了一种新的基于稀疏空间点光强计算的二维成像轮廓提取算法 .该算法能够根据版图特点合理选择采样线的位置 ,有效地确定轮廓线存在的范围 ,并根据在采样线上光强单调分布的特性来快速地搜寻轮廓点 .实验表明 ,这是一种快速高效的轮廓提取方案 ,能够适应光学邻近校正中巨大的运算量 .A new fast algorithm used for simulating optical intensity profile on silicon wafer is introduced,and a new algorithm for 2D contour extraction of shaped silicon areas based on intensity simulation of sparse aerial points is presented.This algorithm gives out groups of sampling lines according to the mask layout,thus effectively delimits the searching area for contours on wafer.A searching scheme to locate contour point on a sampling line having monotonous intensity distribution is presented and discussed in detail.It indicateds that it is a fast,efficient and practial way to calculate area contours on silicon,and a fitable algorithm for the huge number of calculating of the optical proximity correction.

关 键 词：光刻 二维成像轮廓 提取 光学邻近校正 OPC 集成电路 

分 类 号：TN305.7[电子电信—物理电子学]