高氢稀释制备微晶硅薄膜微结构的研究  

作　　者：郭晓旭[1] 董宝中[2] 等 

机构地区：[1]中国科学技术大学研究生院物理系，北京100039 [2]中国科学院高能物理研究所，北京100039

出　　处：《同步辐射装置用户科技论文集》1998年第1期89-94,共6页

摘　　要：采用高氢稀硅烷热丝化学气相沉积方法制备氢化微晶硅薄膜。其结构特征用Raman谱，红外透射谱，小角X射线散射等来表征。结果表明微晶硅的大小及在薄膜中的晶态比Xc随氢稀释度的提高而增加。而从红外谱计算得到氢含量则随氢稀释度的增加而减小。小角X射线散射结果表明薄膜致密度随氢稀释度的增加而增加。结合红外谱和小角X射线散射的结果讨论与比较了不同相结构下硅网络中H的增加而增加。结合红外谱和小角X射线散射的结果讨论与比较了不同相结构下硅网络中H的键合状态。认为随着晶化的发生和晶化程度的提高H逐渐移向晶粒表面，在硅薄膜中H的存在形式从以SiH为主向SiH2转变，即在微晶硅膜中主要以SiH2形式存在于晶粒的界面。

关 键 词：氢化 小射X射线散射 稀释 制备 微晶硅薄膜 微结构 

分 类 号：TN304.12[电子电信—物理电子学] O722.5[理学—晶体学]