Vishay发布其E系列器件的首颗500V高压MOSFET  

出　　处：《电子设计工程》2014年第19期186-186,共1页Electronic Design Engineering

摘　　要：日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出新的500 V家族里首款MOSFET---SiHx25N50E,该器件具有与该公司600 V和650V E系列器件相同的低导通电阻和低开关损耗优点。新器件的低导通电阻和栅极电荷在高功率、高性能的消费类产品、照明应用和ATX/桌面PC机开关电源（SMPS）里将起到节能的重要作用。

关 键 词：新器件 MOSFET 低导通电阻 高压 低开关损耗 栅极电荷 开关电源 高功率 

分 类 号：TN915[电子电信—通信与信息系统]