GaN HFET的大信号射频工作模型(续)  

Large Signal RF Operation Model for GaN HFET(Continued)

作　　者：薛舫时[1] 

机构地区：[1]南京电子器件研究所,微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室,南京210016

出　　处：《固体电子学研究与进展》2014年第6期503-509,共7页Research & Progress of SSE

基　　金：国家自然科学基金资助项目(61076120,61106130)

摘　　要：3短栅长HFET在高漏压下的能带畸变在一般的异质结能带计算中，都只考虑异质结材料生长方向的势垒变化。现在表面电势在x方向产生很大的电场梯度，该表面电场会扩展到整个异质结内，形成复杂的二维电场分布。于是在自洽求解泊松方程和薛定谔方程时就必须求解二维泊松方程。

关 键 词：HFET GAN 大信号 二维泊松方程 异质结材料 模型 射频 能带计算 

分 类 号：TN386[电子电信—物理电子学]