石墨烯/二硫化钼异质结的研制  

The preparation and research of grahene/MoS_2 heterojunction

作　　者：史永胜[1] 李晓明[2] 刘丹妮[2] 姜佳敏 伍媛婷[3] 

机构地区：[1]陕西科技大学理学院,陕西西安710021 [2]陕西科技大学电气与信息工程学院,陕西西安710021 [3]陕西科技大学材料科学与工程学院,陕西西安710021

出　　处：《陕西科技大学学报（自然科学版）》2015年第3期63-67,104,共6页Journal of Shaanxi University of Science & Technology

基　　金：国家自然科学基金青年项目(51302161)

摘　　要：应用两种结构类似的二维纳米薄膜材料石墨烯和MoS2纳米片设计了一种新型异质结器件.首先利用磁控溅射方法制备出MoS2薄膜,然后在MoS2薄膜上利用化学气相沉积法(CVD)法制备石墨烯;进而采用磁控溅射法沉积铜(Cu)接触电极,并进行表征与测试.在适当的工艺条件下,石墨烯和MoS2结合能够形成具有线性伏安特征的异质结.This paper was designed a new hetero-junction device applications that similar structure of the two-dimensional nano film material graphene and MoS2. MoS2 film was prepared by magnetron sputtering method, graphene was prepared by CVD method on MoS2 film,and then copper（Cu） metal contact electrodes was deposited using the Magnetron sput- tering method,thus graphene/MoS2 heterojunction was formed.

关 键 词：石墨烯薄膜 MOS2薄膜 异质结 磁控溅射 

分 类 号：TB383[一般工业技术—材料科学与工程]