安森美半导体推出全新的中压N沟道MOSFET阵容  

出　　处：《电子设计工程》2015年第11期118-118,共1页Electronic Design Engineering

摘　　要：推动高能效创新的安森美半导体（ON Semiconductor）,针对数据网络、电信和工业应用推出新的高能效单N沟道功率MOSFET系列,进一步扩大其宽广的产品阵容。 这些器件能提供低得令人难以置信的导通电阻RDS（on）值,从而将导通损耗降至最低并提升整体工作能效水平。

关 键 词：安森美半导体 N沟道MOSFET 产品阵容 导通电阻 击穿电压 门极 导通损耗 数据网络 令人 额定工作 

分 类 号：TN386.1[电子电信—物理电子学]