基于Pd/SWNT/Al结构的场效应晶体管的研究  

Study on The Field-Effect Transistor Based on Pd/SWNT/Al Configuration

作　　者：钟汉清 陈长鑫[1] 刘晓东[1] 魏良明[1] 苏言杰[1] 张丽英[1] 张亚非[1] 

机构地区：[1]上海交通大学电子信息与电气工程学院微纳电子学系,薄膜与微细技术教育部重点实验室,微米/纳米加工技术国家级重点实验室,上海200240

出　　处：《半导体光电》2015年第3期435-438,共4页Semiconductor Optoelectronics

基　　金：国家自然科学基金资助项目(61177052;60807008;51272155);全国优秀博士学位论文作者专项资金资助项目(201154);教育部新世纪优秀人才支持计划项目(NCET-11-0319);教育部霍英东青年教师基金项目(131064)

摘　　要：碳纳米管因具有良好的物理机械性能而得到广泛的研究,其最重要的应用之一是构建场效应晶体管(FET)。文章提出并研究了一种非对称接触的单壁碳纳米管场效应晶体管(SWNT-FET),并对其电学特性进行了表征。在该器件中,SWNT被作为FET的沟道,两种不同功函数的金属被用来与SWNT形成肖特基接触;SWNT一端与低功函数金属Al形成源极,另一端与高功函数金属Pd形成漏极。该类器件可应用于下一代纳米集成电路中。Due to its excellent physical and chemical properties,carbon nanotubes（CNTs）have been widely studied and applied in various fields.One of the most important applications for CNTs is to construct the electronic and photoelectric devices.A CNT field-effect transistor with asymmetric contacts is studied in this paper.In the device,individual single-walled CNT is used as the channel,which forms the asymmetrical Schottky contacts with the low work-function metal（aluminum）and the high work-function metal（palladium）,respectively.This device is promising to be used in next-generation integrated circuit.

关 键 词：碳纳米管 肖特基接触 电子束光刻 碳纳米管场效应晶体管 整流特性 

分 类 号：TN929.11[电子电信—通信与信息系统]