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出 处:《电镀与环保》2015年第4期58-58,共1页Electroplating & Pollution Control
摘 要:本发明涉及一种电镀前处理工艺,尤其是一种半导体晶片的电镀前处理工艺。具体实施过程为:电镀前,将半导体晶片浸没于碱性溶液(pH值7~13)中清洁表面;随后,酸性镀铜整平表面,消除凹凸不平的状况。采用该工艺对半导体晶片进行前处理,能够降低电镀过程出现缺陷的概率。
关 键 词:前处理工艺 电镀过程 半导体晶片 清洁表面 碱性溶液 酸性镀铜 PH值
分 类 号:TQ153[化学工程—电化学工业]
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