深亚微米工艺中MOS器件的版图效应  

作　　者：吴顺珉 

机构地区：[1]Maxim Integrated公司

出　　处：《今日电子》2015年第8期51-53,共3页Electronic Products

摘　　要：本文主要描述一下两钟对M O S管特性有影响的边界效应。同时,本文也将描述目前通用的对这两种效应的估算方式和在器件模型中的表现形式。WPE效应第一种影响MOS器件的效应被称为WPE,well proximity effect,也可以翻译为＂井边界效应＂。WPE效应的影响是,当一个MOS管靠近他所在的井边沿的时候,其阈值电压会升高,从而导致其传输特性和其他普通的MOS不同。

关 键 词：MOS器件 器件模型 阈值电压 深亚微米工艺 传输特性 PROXIMITY 物理尺寸 参杂 迁移率 有源区 

分 类 号：TN386.1[电子电信—物理电子学]