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作 者:蒋建彗 吴孔平[1] 鲁开林 齐剑[1] 彭波[1] 朱艳娜[1]
机构地区:[1]安徽理工大学电气与信息工程学院,安徽淮南232001
出 处:《光学学报》2015年第9期199-205,共7页Acta Optica Sinica
基 金:安徽省自然科学基金(1208085QF116)
摘 要:中间带光伏太阳电池是为了充分利用太阳光谱中的红外光子能量而提出的一种高效率新概念太阳电池。II-VI和III-V族高失配合金半导体是新型高效中间带太阳电池的优选材料体系。采用太阳电池电容模拟软件(SCAPS),模拟出具有中间带的ZnTe:O高失配合金作为本征层时的太阳电池的性能参数,并与ZnO/ZnTe及ZnO/ZnTe/ZnTe的太阳电池对比分析。结果表明:本征层的存在及材料结构对太阳电池性能有显著影响,具有中间带的ZnTe:O作为本征层时的电池性能参数明显优于ZnO/ZnTe和ZnO/ZnTe/ZnTe;不同掺杂类型的ZnTe:O本征层通过改变费米能级在中间带的位置影响太阳电池的性能参数。模拟结果显示:n型ZnTe:O作为本征层时短路电流密度JSC及电池效率分别为52.39mA/cm2和61.58%,远高于p型ZnTe:O结构太阳电池。In order to fully utilize the infrared photon energy in the solar radiation spectrum, the intermediate band solar cell as a efficient new concept solar cell is proposed. Group Ⅱ-Ⅵand Ⅲ-V highly mismatched alloys are promising material systems in the application of high efficiency intermediate-band solar cell. Simulated the performance parameters of ZnTe:O highly mismatched ternary alloys as intrinsic layer by using the solar cell capacitance simulator (SCAPS), and comparison with ZnO/ZnTe and ZnO/ZnTe/ZnTe. The result indicats that the existence of the intrinsic layer and material structure has a significant influence on the solar cell performance. While the ZnTe:O with intermediate-band as the intrinsic layer has better battery performance parameters than ZnO/ZnTe and ZnO/ZnTe/ZnTe. Different types of doping ZnTe:O intrinsic layer by changing the position of Fermi level in the intermediate-band affect the performance of solar cells. The simulation results show that when n-ZnTe:O is used as the intrinsic layer, the battery short circuit current density Jsc and efficiency is 52.39 mA/cm2 and 61.58%, respectively, which are much higher than those of p-ZnTe:O solar cell.
关 键 词:材料 太阳电池 中间带 高失配合金 太阳能电池电容模拟软件
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