测量Ga0.95Mn0.05As薄膜材料磁学性质的实验系统——基于反常霍尔效应和表面磁光克尔效应  

作　　者：蒋笑寒 陈宜保[1] 梁昌林[1] 来旭波 张留碗[1] 

机构地区：[1]清华大学物理系,北京100084 [2]中国人民大学附属中学,北京100080 [3]北京航空航天大学物理系,北京100191

出　　处：《物理教学》2015年第10期2-7,共6页Physics Teaching

摘　　要：利用反常霍尔效应和磁光克尔效应,我们搭建了一套可以自动完成数据采集的电学和光学测试系统,成功表征了厚度为20 nm的Ga（0.95）Mn（0.05）As薄膜的磁性行为。进一步地综合比较了对同一个薄膜样品中极向、纵向磁光克尔效应与反常霍尔效应在测量上的优劣,为弱磁性材料磁学性质的测量提供了有益的参考。

关 键 词：半导体自旋电子学 稀磁半导体 Ga(0.95)Mn(0.05)As薄膜 反常霍尔效应 磁光克尔效应 

分 类 号：G633.7[文化科学—教育学]