一种氮化物半导体装置  

出　　处：《有色金属与稀土应用》2015年第3期34-35,共2页Non-Ferrous Metals & Rareearth

摘　　要：近年来，作为制造氮化物半导体装置必需的衬底，注重GaN衬底。GaN衬底与以前采用的蓝宝石衬底相比，在晶体的晶格匹配或散热性这点上优异。此外，相对于蓝宝石衬底是绝缘物，GaN衬底具有导电性也是1个优点。即，可采用也在GaN衬底的背面侧形成电极，在横切GaN衬底的方向流动电流的结构。只要在具有导电性的GaN衬底的背面上形成电极，就能缩小各个半导体装置的尺寸（芯片面积），如果缩小芯片面积，由于用1枚晶片制作的芯片的总数增加，所以能够降低制造成本。

关 键 词：半导体装置 氮化物 蓝宝石衬底 芯片面积 制造成本 GaN 晶格匹配 流动电流 

分 类 号：TN304.23[电子电信—物理电子学]