硅中阶梯光栅的湿法刻蚀技术  

Wet etching technology for silicon echelle grating fabrication

作　　者：焦庆斌 

机构地区：[1]中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,吉林长春130033

出　　处：《长春工业大学学报》2015年第4期390-394,共5页Journal of Changchun University of Technology

基　　金：国家863计划(2010AA1221091001);国家重大科研装备开发专项(2011YQ120023)

摘　　要：建立了单晶硅中阶梯光栅湿法刻蚀全工艺过程,并对该工艺所涉及的光刻胶掩模制备、氧化层掩膜制备以及单晶硅湿法刻蚀等环节进行了研究。利用该工艺制作了口径为20mm×20mm的中阶梯光栅,其在入射波长532nm,Littrow方式入射时,-42级衍射效率大于70%。A wet etching process for silicon echelle grating is established,ant the techniques such as preparation of photosensitive mask,oxide layer and etching process are studied.With the techniques,a middle-stage grating with diameter 20×20mm2is made.The maximum diffraction efficiency is up to70% when incident wavelength is 532 nm and the incident way is Littrow（the blaze angleα=64°）.

关 键 词：硅中阶梯光栅 湿法刻蚀 衍射效率 

分 类 号：O434.2[机械工程—光学工程] O433.4[理学—光学]