截止频率8.7THz的平面肖特基势垒二极管  

Planar Schottky Barrier Diode with cut-off frequency of 8.7 THz

作　　者：李倩[1,2] 安宁[1,2] 童小东[1,2] 王文杰[1,2] 曾建平[1,2] 李志强[1,2] 唐海林[1,2] 熊永忠[1,2] 

机构地区：[1]中国工程物理研究院电子工程研究所,四川绵阳621999 [2]中国工程物理研究院微系统与太赫兹研究中心,四川绵阳621999

出　　处：《太赫兹科学与电子信息学报》2015年第5期679-683,共5页Journal of Terahertz Science and Electronic Information Technology

摘　　要：肖特基势垒二极管(SBD)具有强非线性效应、速度快及容易系统集成等特点,常用于微波、毫米波及太赫兹波的产生和检测。本文通过电子束光刻等技术制作出肖特基接触直径1μm的二极管,并对二极管进行了直流测试和射频测试。经过直流测试,二极管的串联电阻为10.2?,零偏结电容为1.76 f F,肖特基结截止频率达到了8.7 THz;相同管子的射频测试串联电阻为15.4?,零偏结电容1.46 f F,肖特基结截止频率也达到了7 THz。A planar Schottky Barrier Diode(SBD) with the Schottky contact diameter of 1 μm fabricated using electron beam lithography method is reported. The DC measurement results show that the DC series resistance, the junction capacitance and the cut-off frequency of SBD are 10.2 ?, 1.76 f F and 8.7 THz, respectively; the RF extracted series resistance of 15.4 ?, the junction capacitance of 1.46 f F and the cut-off frequency of 7 THz are also demonstrated.

关 键 词：太赫兹 肖特基势垒二极管 串联电阻 零偏结电容 截止频率 

分 类 号：TN311.7[电子电信—物理电子学]