熊永忠

作品数：8被引量：10H指数：2
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供职机构：中国工程物理研究院电子工程研究所更多>>
发文主题：毫米波天线太赫兹太赫兹波段硅基片更多>>
发文领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
发文期刊：《微波学报》《微电子学》《电子技术应用》《科学技术与工程》更多>>
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基于SiGe BiCMOS工艺的X和Ka波段T/R多功能芯片设计
《微波学报》2016年第6期35-39,共5页刘超 唐海林 刘海涛 李强 熊永忠 
提出了应用0.13μm SiGe BiCMOS工艺设计的全集成X和Ka波段T/R多功能芯片。包括5位数控移相器、低噪声放大器、功率放大器和收发控制开关都被集成在单片上。首次将分布式结构应用在多功能芯片的小信号放大器设计中,而且将堆叠式结构的...
关键词：多功能芯片 T/R组件 相控阵 SiGe BICMOS X波段 KA波段 
150GHz低损耗Lange耦合器的设计
《微电子学》2016年第5期663-666,共4页张贵博 何进 罗将 王豪 常胜 黄启骏 熊永忠 侯德彬 
国家自然科学基金资助项目(61204096;61404094);湖北省自然科学基金资助项目(2014CFB694);博士后自然基金资助项目(2012T50688);江苏省自然科学基金资助项目(BK20141218);中央高校基本科研基金资助项目(2042015kf0174;2042014kf0238)
采用0.13μm SiGe BiCMOS工艺,设计了一个中心频率为150GHz的低损耗Lange耦合器。使用λ/4波长线为耦合线,4个端口采用50Ω匹配线以降低回波损耗;为得到更好的插入损耗,在耦合器对应的地面打孔形成地面隔离带,有效降低了插入损耗。仿真...
关键词：LANGE耦合器 插入损耗 耦合系数 低损耗 
CMOS单片高隔离度Ka波段单刀双掷开关的设计被引量：3
《电子技术应用》2016年第4期43-45,52,共4页刘超 李强 熊永忠 
提出了应用0.13μm CMOS工艺设计的具有高隔离度的Ka波段单刀双掷（Single Pole Double Throw,SPDT）开关。测试结果显示,在Ka波段此单片开关插损为2.7~3.7 d B,在35 GHz时测得的输入1dB压缩点（P_（-1dB））为8d Bm。通过使用并联NMOS...
关键词：KA波段 单刀双掷开关 高隔离度 CMOS T/R开关 
一种低损耗高耦合片上变压器的设计
《科学技术与工程》2016年第7期204-209,共6页王宇奇 何进 罗将 王豪 常胜 黄启俊 熊永忠 
国家自然科学基金(61204096;61404094);中央高校基本科研基金(2042015kf0174;2042014kf0238);湖北省自然科学基金(2014CFB694);江苏省自然科学基金(BK20141218);博士后自然基金(2012T50688)资助
采用0.13μm SiGe BiCMOS工艺,设计了一种低损耗高耦合的单圈倒装交错层叠结构的片上变压器,这种结构减小了初级线圈与次级线圈间的垂直距离,提高了线圈间的耦合度及线圈的品质因数Q,从而提高了变压器的传输效率。同时对地面层进行了改...
关键词：毫米波 单圈倒装交错层叠 片上变压器 低损耗 高耦合 
基于SiGe BiCMOS工艺的片上太赫兹滤波器
《太赫兹科学与电子信息学报》2015年第6期849-852,共4页崔博华 李一虎 熊永忠 
基于硅锗双极-互补金属氧化物半导体(SiGe BiCMOS)工艺,采用衬底集成波导(SIW)结构,设计了几款片上太赫兹滤波器。测试结果中带宽和中心频率分别为20GHz@139GHz,20GHz@168GHz和26GHz@324GHz,结果表明制作的带通滤波器中心频率与设计的...
关键词：滤波器 太赫兹 硅锗双极-互补金属氧化物半导体 衬底集成波导 
截止频率8.7THz的平面肖特基势垒二极管被引量：5
《太赫兹科学与电子信息学报》2015年第5期679-683,共5页李倩 安宁 童小东 王文杰 曾建平 李志强 唐海林 熊永忠 
肖特基势垒二极管(SBD)具有强非线性效应、速度快及容易系统集成等特点,常用于微波、毫米波及太赫兹波的产生和检测。本文通过电子束光刻等技术制作出肖特基接触直径1μm的二极管,并对二极管进行了直流测试和射频测试。经过直流测试,二...
关键词：太赫兹 肖特基势垒二极管 串联电阻 零偏结电容 截止频率 
43GHz低功耗和低相噪VCO设计
《微电子学与计算机》2015年第7期161-164,共4页罗将 何进 吴欢成 王豪 常胜 黄启俊 熊永忠 
国家自然科学基金(61204096;61404094);中央高校基本科研基金(2042015kf0174;2042014kf0238);湖北省自然科学基金(2014CFB694);江苏省自然科学基金(BK20141218);博士后科学基金(2012T50688)
基于0.13μm CMOS工艺,设计了一个43GHz低功耗和低相噪压控振荡器（VCO）.通过去除尾电流管及改进偏置电路降低了VCO核的功耗和相噪,改进LC谐振回路设计抑制二次谐波噪声进一步改善了整个VCO的相噪.通过后仿真验证,在0～1.2V调谐电压作...
关键词：CMOS 毫米波 VCO 低功耗 低相噪 
0.34THz高速无线通信发射机芯片设计被引量：2
《太赫兹科学与电子信息学报》2015年第2期198-202,共5页邓小东 李一虎 李健康 吴文 熊永忠 
基于0.13μm Si Ge Bi CMOS工艺,设计了一个应用于0.34 THz高速通信系统的4路集成相控阵发射机芯片。该芯片集成了21.25 GHz的锁相环(PLL)频率源、4倍频器、4路威尔金森(Wilkinson)功分网络,每一路相控阵通道包括85 GHz功率放大器、模...
关键词：相控阵 硅基 太赫兹 发射机 片载天线 
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