基于SiGe BiCMOS工艺的X和Ka波段T/R多功能芯片设计  

Design of X-Band and Ka-Band T/R Multifunctional Chips Based on SiGe BiCMOS Technology

作　　者：刘超[1,2] 唐海林[2] 刘海涛[2] 李强[1] 熊永忠[2] 

机构地区：[1]电子科技大学微电子与固体电子学院集成系统实验室,成都610054 [2]中国工程物理研究院微系统与太赫兹中心集成电路研究室,成都611731

出　　处：《微波学报》2016年第6期35-39,共5页Journal of Microwaves

摘　　要：提出了应用0.13μm SiGe BiCMOS工艺设计的全集成X和Ka波段T/R多功能芯片。包括5位数控移相器、低噪声放大器、功率放大器和收发控制开关都被集成在单片上。首次将分布式结构应用在多功能芯片的小信号放大器设计中,而且将堆叠式结构的功放集成在收发芯片中,此两款多功能芯片均有着带宽宽、增益高、输出功率大等优点。其中X波段收发芯片接收、发射增益分别达到25 d B、22 d B,发射输出P-1d B达到28 d Bm;Ka波段收发芯片接收、发射增益分别达到17 d B、14 d B,发射输出P-1 d B达到20.5 d Bm。此两款应用硅基工艺设计的多功能芯片指标均达到国际先进水平,为X和Ka波段相控阵系统的小型化和低成本化提供了良好的条件。This paper presents fully integrated X-band and Ka-band T/R multifunctional chips （MFCs） using 0.13μm SiGe BiCMOS technology. 5-bit phase shifter, low noise amplifier, power amplifier, and T/R control switches are inte- grated in a single chip. Via adopting distributed structures in small signal amplifiers and stacked structure in power amplifiers during MFCs＇ design, our proposed two MFCs both have wideband performance with high gain and high output power. The X-band MFC achieves receive/transmit gain of 25/22 dB and transmit output P-roB of 28 dBm ; the Ka-band MFC achieves receive/transmit gain of 17/14 dB and transmit output P-1dB of 20.5 dBm. With competitive technical targets compared with state-of-the-arts, the proposed X-band and Ka-band MFCs using silicon-based technology provide good conditions for the min- iaturization and cost down of phased array systems.

关 键 词：多功能芯片 T/R组件 相控阵 SiGe BICMOS X波段 KA波段 

分 类 号：TN958.92[电子电信—信号与信息处理] TN402[电子电信—信息与通信工程]