王宇奇

作品数：3被引量：2H指数：1
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供职机构：武汉大学物理科学与技术学院更多>>
发文主题：CMOSBICMOSBI跨阻放大器自动增益控制更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《电子技术应用》《科学技术与工程》《光通信技术》更多>>
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一种10Gb/s的跨阻放大器设计被引量：1
《光通信技术》2017年第1期33-36,共4页张贵博 何进 王宇奇 彭尧 童志强 王豪 常胜 黄启俊 
国家自然科学基金(61574102;61404094)资助;中央高校基本科研基金(2042016kf0189;2042015kf0174;2042014kf0238)资助;湖北省自然科学基金(2014CFB694)资助;湖北省科技支撑计划(2015CFB536)资助
基于0.18μm SiGe Bi CMOS工艺,设计了用于10Gb/s光通信的跨阻放大器,介绍了直流偏移消除电路和自动增益控制电路。做了关于跨阻放大器输出信号带宽、差分增益和灵敏度的仿真,画出版图结构并进行了后仿真分析。
关键词：跨阻放大器 直流偏移消除 自动增益控制 
BiCMOS带隙基准电压源的设计及应用被引量：1
《电子技术应用》2016年第11期33-36,共4页王宇奇 何进 张贵博 童志强 王豪 常胜 黄启俊 
国家自然科学基金(61574102;61404094);中央高校基本科研基金(2042016kf0189;2042015kf0174;2042014kf0238);湖北省自然科学基金(2014CFB694);湖北省科技支撑计划(2015CFB536)
基于0.18μm SiGe BiCMOS工艺,设计了应用于一款"10-Gbps跨阻放大器(TIA)"芯片的带隙基准电压源。该带隙基准电压源工作在3.0 V^3.6 V的电源电压下,输出基准参考电压为1.2 V,温度系数为10.0 ppm/℃,低频时电源抑制比为-69 d B,具有良好...
关键词：BI CMOS 带隙基准电压源 偏置电路 带宽调节 
一种低损耗高耦合片上变压器的设计
《科学技术与工程》2016年第7期204-209,共6页王宇奇 何进 罗将 王豪 常胜 黄启俊 熊永忠 
国家自然科学基金(61204096;61404094);中央高校基本科研基金(2042015kf0174;2042014kf0238);湖北省自然科学基金(2014CFB694);江苏省自然科学基金(BK20141218);博士后自然基金(2012T50688)资助
采用0.13μm SiGe BiCMOS工艺,设计了一种低损耗高耦合的单圈倒装交错层叠结构的片上变压器,这种结构减小了初级线圈与次级线圈间的垂直距离,提高了线圈间的耦合度及线圈的品质因数Q,从而提高了变压器的传输效率。同时对地面层进行了改...
关键词：毫米波 单圈倒装交错层叠 片上变压器 低损耗 高耦合 
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